کاتالیزور NiCoMgCeOx مناسب پایه دار با پایداری دمایی بالا…

چکیده

کاتالیزورهای NiCoMgOx و NiCoMgCeOx Ni/Co/Mg/Ce=1/0.2/1.2/0 or 1.2 قرار گرفته بر روی پایه زیرکونیا هافنیا، با سطح ویژه پایین، تخلخل درشت، و پیش کلسینه شده در دمای بالا (1400 درجه سلسیوس به مدت 4 ساعت) فعالیت بالا (>98%) و گزینش پذیری (>95%) در واکنش اکسیداسیون جزئی متان به گازسنتز از خود نشان دادند. کارایی آنها بدون تغییر باقی ماند حتی بعد از اینکه کاتالیزورها در دمای بالاتر (oC 2000 > به مدت 30 دقیقه) یا تعدادی شوکهای دمای بالا قرار گرفتند، که ناشی از تماس مستقیم با شعله اکسی استیلن می باشد. کاتالیزور NiCoMgCeOx قرار گرفته بر روی پایه، هرچند به علت تحرک خیلی بالای اکسیژن شبکه، کارایی کاتالیزوری بالاتری در واکنشهای ریفرمینگ بخار و CO2 از خود نشان داد. بنابراین آن برای ریفرمینگ اتوترمال متان مناسبتر می باشد.

کلیدواژه: کاتالیست NiCoMgCeOx پایه زیرکونیا-هافنیا، کاتالیست NiCoMgCeOx پایه زیرکونیا-هافنیا، اکسیداسیون متان جزئی کاتالیت؛ رفورمینگ اتوترمال متان، رفورمینگ بخار متان، رفورمینگ CO2 متان، کاتالیزور NiCoMgCeOx پایه باثبات دمای بالا

مقدمه

ریفرمینگ اتوترمال متان (MATR) در دو ناحیه دمایی جداگانه انجام می شود-در ناحیه اول، بخشی از متان از خوراک در شعله یا کوره کاتالیستی محترق شده، جریان محصول داغی (حدود oC1400) تولید می کند، و در ناحیه دوم، متان تبدیل نشده از جریان محصول از طریق احتراق متان بر روی کاتالیزور ریفرمینگ بخار به گازسنتز تبدیل می شود. فرایند MATR به هیچ انرژی خارجی نیاز ندارد، و هنوز استفاده از آن محدود می باشد که عمدتاً به علت فولینگ کاتالیزور در عملیات دما بالا (حدود 1400 درجه سلسیوس) و شوکهای گرمایی دریافت شده توسط کاتالیزور به ویژه در طی دوره های راه اندازی و خاموشی فرایند، می باشد.

کاهش تلفات در خطوط فشار ضعیف…

مقدمه:

بخشی از انرژی الکتریکی تولید شده توسط نیروگاهها در حدفاصل تولید تا مصرف به هدر می روند، همچنین مقدار قابل توجهی از این انرژی در داخل نیروگاهها صرف مصارف داخلی می شوند. طبق نظر برخی از کارشناسان این انرژی که صرف تاسیسات می شود جزو تلفات محسوب نمی شوند. همچنین در مورد ترانسفورماتورهایی که سیستم خنک کننده آنها و یا سیستم گردش روغن آنها توسط پمپ کار می کند این انرژی مصرف شده برای پمپها را جزو تلفات محاسبه نمی کنند. اما نظرات دیگری نیز در مورد تلفات وجود دارد و تلفات از دیدگاههای مختلف تعاریف متفاوتی دارد. در اینجا ابتدا تلفات را تعریف کرده و سپس عوامل موثر برایجاد تلفات را بیان می کنیم و در آخر راه حل های کاهش تلفات در خطوط فشار ضعیف را بررسی می کنیم.

فهرست مطالب

فصل اول: تلفات خطوط فشار ضعیف

مقدمه۲

تلفات۳

عوامل موثر بر تلفات۷

روشهای محاسبه تلفات ۱۶

یک کیلو وات تلفات چقدر از ظرفیت اسمی نیروگاه را هدر می دهد ۲۳

بهینه سازی و ساماندهی و کاهش تلفات شبکه۲۸

فصل دوم: راهکارهای مناسب جهت کاهش تلفات ۳۴

روش اول: خازن گذاری _ ۳۵

روش دوم: تجدید آرایش شبکه ۶۰

روش سوم: جبران ساز خازنی ۸۶

روش چهارم: اصلاح اتصالات ثابت ۱۰۶

نتیجه نهایی ۱۲۱

منابع و مآخذ ۱۲۲

قرص های چربی سوز چگونه باعث کاهش وزن می شوند؟…

مقدمه

قرص های چربی سوز اغلب دارای کافئین و افدرین هستند و براساس این دو ماه باعث افزایش مصرف کالری می شوند.

افدرین (EPHEDRINE) باعث انبساط (باز شدن) ریه ها می شود و بعنوان دارو در بیماری آسم و سرماخوردگی تجویز می شود. این ماده باعث افزایش اکسیژن رسانی به خون می شود. هنگامی که مقدار اکسیژن در خون بیشتر باشد، انرژی بیشتری در سلول ها تولید می شود، یعنی انرژی بیشتری می سوزد.

همچنین ضربان قلب و فشار خون را افزایش می دهد و باعث گرم شدن بدن در حین ورزش می شود. باعث کاهش اشتها می شود و مانند یک دیورتیک عمل می کند، یعنی باعث افزایش دفع ادرار می شود.

اگر شما آسپرین یا یک نوع داروی قلبی یا نوع دیگری از داروی ضد آسم (غیر از افدرین) را مصرف می کنید، یا اینکه نسبت به کافئین حساسیت دارید، نباید از قرص های چربی سوز استفاده کنید، زیرا باعث نامنظم شدن ضربان قلب، مشکل شدن تنفس و بروز حملات دردناک می شود.

قرص شادی آور و هیجان زا (اکستازی) (تحقیقات اجتماعی)…

مقدمه

متاسفانه داروهایی که با عنوان نشاط آور عرضه می شوند و انرژی فوق العاده همراه با شادی کاذب در افراد ایجاد می کنند، برای انسان زایدآور هستند و سلامتشان را به خطر می اندازند. سنین جوانی خود به خود مملو از انرژی و شادی طبیعی است که خداوند در جوانان گذاشته و هرچیز مصنوعی باعث افزایش انرژی شود زاید است و عوارض بسیار خطرناکی دارد؛ بخصوص داروها که با کمی افزایش سم تبدیل می شوند و می بایست کاملاً از این کار پرهیز شود. متاسفانه سازندگان و توزیع کنندگان این نوع مواد خیلی ساده جوانان را هدف قرار می دهند و از سادگی آنها استفاده می کنند و آن مواد را در اختیار آنها قرار می دهند. آمار به دست آمده حاکی از آن است که افراد بالای 30 سال به ندرت دنبال این نوع داروها می روند و بیشتر برخی جوانان زیر 30 سال در کشور ما، مصرف کنندگان این داروها شده اند. فراموش نکنیم بیش از 45 درصد جمعیت کشور را جوانان تشکیل می دهند و با یک مطالعه مناسب بوضوح در می یابیم آمار و ارقام بزهکاری و اعمال خلاف عفت عمومی ناشی از مصرف این گونه مواد در کشور ما به شدت بالا رفته، محاکم دادگستری و دادگاه های ویژه مبارزه با مفاسد اجتماعی بهترین مرجع برای بررسی این موضوع هستند. وجود چنین موادی سبب بی پروایی و شدت شهوات نفسانی می شود و مسوولان مملکتی در این زمینه باید تدابیر پیشگیرانه اتخاذ کنند. این داروها تماماً وارداتی است و افراد سودجو و بی توجه به عوارض جسمانی این داروها، از طرق مختلف اقدام به ورود و توزیع آنها می کنند. این داروها به هیچ وجه مجاز به توزیع در سیستم دارویی رسمی کشور و داروخانه های موجود در ایران نیستند و چنانچه هر از گاه این مراکز ادام به خرید و توزیع آن کنند و مرتکب خلاف شوند، می توان آنها را تحت پیگرد قانونی قرار داد. ضرورت دارد برای جلوگیری از توزیع احتمالی این داروها از سوی مراجع رسمی مجازات سنگین در نظر گرفته و به همگان اعلام شود. باید توجه داشت این قبیل داروها را شرکتهای تولید کننده فقط به این منظور تولید نمی کنند و بیشتر برای درمان بیماری های خاصی که در جوامع آنها وجود دارد، تولید می شود و اثرات نشاط آور، گاه از عوارض ثانویه این داروهاست.

قدرت کارآمد پردازنده و پردازنده سلولی…

• عنوان لاتین مقاله: Power Efficient Processor Architecture and The Cell Processor
• عنوان فارسی مقاله: معماری پردازنده قدرت کارآمد و پردازنده سلولی.
• دسته: کامپیوتر و فناوری اطلاعات
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 9
• لینک دریافت رایگان نسخه انگلیسی مقاله: دانلود
• نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.

خلاصه

معماری پردازنده قدرت کارآمد و پردازنده سلولی این مقاله پیش زمینه و استدلالی را در مورد بعضی از معماری ها و تصمیمات جهت طراحی در پردازنده سلولی، یعنی پردازنده ای که برای محاسبات فشرده و کاربردهای رسانه ای غنی پهنای باند که مشترکا توسط شرکت های سونی، توشیبا و IBM توسعه داده شده است، ارائه می دهد.

مقدمه

بخش بندی این مقاله به صورت زیر می باشد. بخش 2، به بحث در مورد بعضی از چالش هایی می پردازد که طراحان ریزپردازنده ها با ان مواجه می باشند و انگیزه ای را برای فعالیت در هر ترانزیستور به عنوان یک متریک رتبه اول برای کارایی طرح ایجاد می کند. بخش 3 به بحث در مورد افزایش معماری ریزپردازنده به نسبت این معیار متری می پردازد. بخش 4 به بحث در مورد بعضی از انتخاب های معماری دیگر که باعث بهبود کارایی طرح و عملکرد پیک پردازنده می گردد، می پردازد. بخش 5 به بحث در مورد بعضی از محدودیت های انتخاب های معماری که در بخش 3 معرفی شد، می پردازد، و SMP غیرهمگن را به عنوان ابزاری برای غلبه بر این محدودیت ها مطرح می کند. بخش 6 خلاصه ای از تشکیلات پردازنده سلولی را بیان می کند.

عملکرد در هر ترانزیستور به عنوان یک معیار متری معماران ریزپردازنده و معماران مبکرو در چند دهه گذشته تحت تاثیر دو معیار متری اولیه که عملکرد را مشخص می کند، قرار گرفته اند: که شامل عملکرد در هر سیکل (اعلب توسط تعداد دستورالعمل هایی که در هر سیکل پردازنده تکمیل می شود) ، و بسامد طرح (برای نمونه، زمان سیکل طراحی که توسط 4 مبدل تاخیر اندازه گیری می شود) می باشد. در ادغام با قابلیت های فناوری (برای نمونه یک تریلیون ثانیه در هر fo4) و محدودیت های سیستم (برای نمونه شرایط دسته بندی، تنوع منبع تغذیه، تغییرات تصادفی نامطلوب در منبع، و شرایط حرارتی) می باشد. این موارد به تعیین فرکانس عملیاتی نهایی و عملکرد محصول نهایی می پردازد.

امروزه، معماران و معماران میکرو، و همچنین طراحان منطق و مدار، می بایست بازده توان را مد نظر قرار دهند، زیرا تقریبا تمام سیستم ها از پلتفرم موبایل تا کامپیوترهای شخصی و ایستگاه های کاری تا بزرگترین ابرکامپیوترها هم اکنون از نظر توان برقی محدود می باشند. این موارد نشان می دهد که می بایست از بازده توان به عنوان یکی از معیارهای متری و محرک طرح های ریزپردازنده ها استفاده کنیم.

تعدادی از این معیارهای متری از نظر بازدهی مد نظر قرار می گیرند، که در محدوده انرژی در هر فعالیت تا تاخیر- انرژی می باشد. هر یک از این معیارهای متری به موازنه عملکرد پردازنده از نظر بازدهی می پردازند و هر یک از این معیارهای متری می تواند مناسب باشد. به هر حال، در این مقاله، ما به بررسی عملکرد در هر ترانزیستور به عنوان یک معیار متری می پردازیم. این معیار متری، عملکرد را در هر وات تخمین می زنند در صورتی که مقدار ثابتی را در هر تاوان توان ترانزیستور مد نظر قرار دهیم. این فرایند زمانی منطقی می باشد که فناوری CMOS با عملکرد بالا مورد استفاده قرار گرفته و مقدار ثابتی از این توان به زیر استاندارد و جریانات تونل سازی اکسید مدخل افت کند، و زمانی که هدف بهینه سازی عملکرد تقویت بوده زمانی که بخش قابل توجهی از تراشه ها مورد استفاده قرار گیرد.

• فرمت: zip
• حجم: 0.37 مگابایت
• شماره ثبت: 411