تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید…

• عنوان لاتین مقاله: Characterization for Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed of a Junctionless NMOSFET and a Gated N+-N--P Transistor
• عنوان فارسی مقاله: تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده.
• دسته: برق و الکترونیک
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 8
• جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
• نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.

خلاصه

مقدمه

همزمان با ادامه توسعۀ تکنولوژی نیمه هادی ها، وسایل منطقی نیمه هادی اکسید-فلزی مکمل (CMOS) ، در مدارات دیجیتال و نیز ساخت آی-سی ها در مقیاس های بسیاربزرگ (VLSI) ، استفاده می شود؛ و این بدلیل مصرف توان استاتیک کم و کاهش نویز خوب آن می باشد. بدبختانه، پردازش پیچیده، هزینه های ساخت زیاد، و پویایی تطبیق نیافته، مسایل جدی وسایل منطقی CMOS سیلیکونی می باشند. همچنین، زمانی که ابعاد وسایل کوچک می شوند، به نظر می رسد که پهنای بیشتر PMOSFETها به سختی بتوانند به چگالی زیاد ساخت مدار مجتمع، دست یابند. تعدادی چند از مطالعات بر روی CMOS گزارش شدند که می توانند مشکلات گفته شده در بالا را _مثلا ساخت وسیله بر روی لایه سلیکون-روی-عایق (SOI) [1]، و روی سطح ژرمانیوم روی عایق (GeOI) [2]، و یا روی مواد III-V [3] و [4]، یا استفاده از تکنولوژی مهندسی فشار و ساخت آی-سی سه بعدی [5] _ را آسان کنند. با این حال، مسایل مربوط به جبران سازی پهنای PMOSFET و فرآیندهای پیچیدۀ آن هنوز باقی است.

در دهه 1980، Yasuhisa Omura ترانزیستور گیت-جدا نوع-دوقطبی غیر مستقیم جانبی (LUBISTOR) را [6] و [7] که همانند یک دیود P-I-N کنترل شده کار می کرد، معرفی کرد. همچنین، ترانزیستورهای اثر میدان تونلی P-I-N (TFET) بخاطر مصرف توان پایینشان، تا بامروز مورد استقبال قرار گرفته اند. این به خاطر نوسان زیرآستانۀ سراشیبی (S. S.) و نسبت جریان ION/loFF بالای [8] و [9] مزایای TFETها برای مقیاس بندی ولتاژ منبع توان، می باشد. اخیرا، JL NMOSFTها [10] هم بسیار پر طرفدار بوده اند. نداشتن اتصال، ساخت آنها را به دلیل نبود اتصالات سورس/درین S/D آسانتر کرده است. به علاوه، زمانی که ابعاد وسیله کوچکتر می شوند، اثرات کانال-کوتاه (SCE) و کاهش مانع القای-درین (DIBL) ، می تواند به اندازۀ کافی در JL NMOSFETها کاهش داده شود.

• فرمت: zip
• حجم: 14.19 مگابایت
• شماره ثبت: 411

تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیرمعمولی جدید…

چکیده__در این مقاله، ما یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال (JL) و یک ترانزیستور را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. در اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFETJL به عنوان تحریک و ترانزیستور به عنوان یک بار، عمل می کند. ما بنابر اطلاعات اندازه گیری شده ی ترانزیستور، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش سطح ۴۶. ۱% نیز دست اور دیگر ما است.

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:

• اصل مقاله لاتین IEEE
• متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی و قابل ویرایش

تعیین مشخصه اینورتر تراشه نیمه هادى اکسید فلزى ...…

مقدمه

همزمان با ادامه توسعه تکنولوژی نیمه هادی ها، وسایل منطقی نیمه هادی اکسید فلزی مکمل (CMOS) ، در مدارات دیجیتال و نیز ساخت آی سی ها در مقیاس های بسیاربزرگ (VLSI) ، استفاده می شود؛ و این بدلیل مصرف توان استاتیک کم و کاهش نویز خوب آن می باشد. بدبختانه، پردازش پیچیده، هزینه های ساخت زیاد، و پویایی تطبیق نیافته، مسایل جدی وسایل منطقی CMOS سیلیکونی می باشند. همچنین، زمانی که ابعاد وسایل کوچک می شوند، به نظر می رسد که پهنای بیشتر PMOSFETها به سختی بتوانند به چگالی زیاد ساخت مدار مجتمع، دست یابند. تعدادی چند از مطالعات بر روی CMOS گزارش شدند که می توانند مشکلات گفته شده در بالا را _مثلا ساخت وسیله بر روی لایه سلیکون روی عایق (SOI) [1]، و روی سطح ژرمانیوم روی عایق (GeOI) [2]، و یا روی مواد III V [3] و [4]، یا استفاده از تکنولوژی مهندسی فشار و ساخت آی سی سه بعدی [5] _ را آسان کنند. با این حال، مسایل مربوط به جبران سازی پهنای PMOSFET و فرآیندهای پیچیده آن هنوز باقی است. در دهه 1980، Yasuhisa Omura ترانزیستور گیت جدا نوع دوقطبی غیر مستقیم جانبی (LUBISTOR) را [6] و [7] که همانند یک دیود P I N کنترل شده کار می کرد، معرفی کرد. همچنین، ترانزیستورهای اثر میدان تونلی P I N (TFET) بخاطر مصرف توان پایینشان، تا بامروز مورد استقبال قرار گرفته اند. این به خاطر نوسان زیرآستانه سراشیبی (S. S.) و نسبت جریان ION/loFF بالای [8] و [9] مزایای TFETها برای مقیاس بندی ولتاژ منبع توان، می باشد. اخیرا، JL NMOSFTها [10] هم بسیار پر طرفدار بوده اند. نداشتن اتصال، ساخت آنها را به دلیل نبود اتصالات سورس/درین S/D آسانتر کرده است. به علاوه، زمانی که ابعاد وسیله کوچکتر می شوند، اثرات کانال کوتاه (SCE) و کاهش مانع القای درین (DIBL) ، می تواند به اندازه کافی در JL NMOSFETها کاهش داده شود.

تعیین مرز فضای کاری بازوهای مکانیکی زنجیره ای…

• عنوان لاتین مقاله: On the workspace boundary determination of serial manipulators with non-unilateral constraints
• عنوان فارسی مقاله: تعیین مرز فضای کاری بازوهای مکانیکی زنجیره ای با محدودیت های غیریکجانبه
• دسته: رباتیک
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 28
• لینک دریافت رایگان نسخه انگلیسی مقاله: دانلود
• نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.

خلاصه

• فرمت: zip
• حجم: 5.11 مگابایت
• شماره ثبت: 411

تعیین سختی شکست ترک های انقباضی در مخلوط های آسفالتی…

• عنوان لاتین مقاله: Determining the Low-Temperature Fracture Toughness of Asphalt Mixtures
• عنوان فارسی مقاله: تعیین سختی شکست ترک های انقباضی در مخلوط های آسفالتی
• دسته: عمران
• فرمت فایل ترجمه شده: PDF
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 17
• لینک دریافت رایگان نسخه انگلیسی مقاله: دانلود
• نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.

خلاصه

تلاش های مداومی برای کاربرد مفاهیم مکانیک شکست در شکل گیری و گسترش ترک در مصالح روسازی قیری انجام شده است.

مقاومت شکست کافی نیازی ضروری برای روسازیهای آسفالتی ساخته شده در قسمت شمالی آمریکا و کانادا می باشد زیرا حالت متداول شکست، ترک خوردن ناشی از تنش های انقباضی در دماهای پایین میباشد.

مشخصات فعلی روسازی آسفالتی با کارایی بالا این مساله را عمد تا با استفاده از آزمایش مقاومتی روی نمونه های بدون درز تعیین میکند. هرچند مطالعات اخیر محدودیت های این روش را نشان داده و پیشنهاد کرده اند که به جای آن مفاهیم مکانیک شکست باید بر پایه انجام آزمایش بر روی نمونه های درزه دار به کار گرفته شوند.

تحقیقی در دانشگاه مینسوتا، استفاده از اصول مکانیک شکست برای تعیین مشخصات ترک های در دمای پایین در مخلوط های آسفالتی را مورد بررسی قرار می دهد. این مقاله، قراردادی را برای آزمایش ارائه میکند که اجازه اندازه گیری متعدد سختی شکست به عنوان تابعی از گسترش ترک بر پایه روش موافقتی را برای اندازه گیری طول ترک ارائه میکند. میان طول ترک و سختی شکست رابطه ای افزایش مشاهده می شود که منطبق با رفتار مصالح تردشکن است. مسطح بودن منحنی ها میتواند نشان دهد مقاومت بتن آسفالتی در برابر شکست باشد، زیرا مقادیر اولیه به طور گسترده تحت تاثیر وجود ناحیه غیر الاستیک در راس ترک قرار میگیرد.

• فرمت: zip
• حجم: 2.54 مگابایت
• شماره ثبت: 411