عنوان انگلیسی مقاله: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector on Si CMOS Platform
عنوان فارسی مقاله: مجتمع
سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون با
تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى سیلیکونی.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: ورد قابل ویرایش word 2003 یا 2007 یا بالاتر (doc یا docx)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 24
ترجمه سلیس و روان مقاله آماده خرید می باشد.
_______________________________________
چکیده ترجمه:
طراحی
و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI) (منظور آشکارسازی
با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج
میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم
های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی "نخست-الکترونی و
سپس-فوتونی" ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موج بر
سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک
لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است.
معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی
را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند.
