چکیده در کاربردهای توان-بالا، بیشینه فرکانس سوییچینگ به دلیل تلفات گرمایی، محدود می شود. این، منجر به شکل موج های با اعوجاج زیاد می شود. در این کاربردها، بایستی شکل موج خروجی را با استفاده از سیستم های فیلتر پسیو حجیمی، فیلتر کرد. تکنیک مدولاسیون پهنای پالس کاهش هارمونیک انتخابی (SHMPWM) که هم اکنون ارایه می شد، شکل موج های خروجی تولید می کند که در آن اعوجاج هارمونیکی محدود بوده، و هنگامی که تعداد زاویه های سوییچینگ به اندازه کافی زیاد است، کدگذاری شبکه خاص را انجام می دهد. تکنیک مربوطه، پیش از این با استفاده از فرکانس سوییچینگ برابر با ۷۵۰ Hz ارایه شده بود. در این مقاله، یک پیاده سازی مخصوص از روش SHMPWM که برای فرکانس های سوییچینگ پایین، بهینه سازی شده است، بررسی خواهد شد. نتایج آزمایشی، بدست آمده از اعمال SHMPWM به یک مبدل نقطه-خنثی-مهار شده (NPC) _با استفاده از فرکانس سوییچینگ برابر با ۳۵۰ Hz _ بدست آمده است. نتایج بدست آمده، نشان می دهند که تکنیک SHMPWM، نتایج تکنیک مدولاسیون پهنای پالس حذف هارمونیک انتخابی قبلی را _به ازای فرکانس های کلیدزنی (سوییچینگ) خیلی پایین_ بهبود می بخشد. این حقیقت، بیان می دارد که روش SPWM در کاربردهای توان-بالا، بسیار کار آمد بوده و استفاده از آن موجب کاهش مهم عناصر فیلترینگ گران قیمت و حجیم، می شود.
اصطلاحات شاخص فیلترها، اعوجاج هارمونیکی، سیستم های چند سطحی.
پروژه کارشناسی ارشد برق
فایل محتوای:
چکیده: این مقاله یک روش کنترل مستقیم توان راکتیو و اکتیو (DPC) جدید ژنراتور القایی دوسو تغذیه (DFIG) متصل به شبکه، که دریک نیروگاه بادی نصب شده است را ارائه نموده است.
روش DPC پیشنهادی، ولتاژکنترل موردنیاز روتوررا با یک روش کنترل غیر خطی با مد لغزشی، بطورمستقیم محاسبه می کند به طوریکه خطاهای لحظه ای توان های راکتیور و اکتیوبدون تبدیل هرگونه مختصات سنکرون حذف می شوند.
در نتیجه نیازی به حلقه های کنترل جریان نبوده بنابراین با ساده شدن طراحی سیستم میزان عملکرد گذرا بهبود می یابد. فرکانس سوئیچ زنی مبدل ثابت با استفاده از مدولاسیون بردار فضایی بدست می آید بطوری که طراحی مبدل توان و فیلتر هارمونیک ac را ساده می کند.
دراین مقاله نتایچ شبیه سازی مربوط به شبکه ای است که متصل به ژنراتور دوسو تغذیه (DFIG) با ظرفیت ۲MW بوده، که با نتایج روش معمولی کنترل برداری ولتاژ و نتایج بدست آمده از جدول کنترل توان مستقیم (DPC - LUT) مقایسه می شوند. بنابراین DPC پیشنهادی، همانند DPC - LUT میزان عملکرد گذرای بهبود یافته را فراهم می کند. و دیگری اینکه مثل روش کنترل بردار ((VC هارمونیک حالت دائم را در همان سطح نگه می دارد.
کلمات کلیدی: فرکانس کلیدزنی و سوئیچ زنی ثابت، کنترل توان مستقیم (DPC) ، ژنراتورهای القایی دو سوتغذیه (DFGs) ، کنترل مد لغزش (SMC) ، نیروگاه بادی.
پروژه کارشناسی ارشد برق
فایل محتوای:
چکیده
در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون بر عایق (SOI) ، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS NW CMOS نشان داده شده است.
مقدمه
نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنای MOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n و نوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی یعنی ساده ترین وسیله آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز مایع جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشده دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیه عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا به پایین وسایل Si NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع ترانزیستور (یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلیدزنی، تغییر یافتنی باشد.
خلاصه
در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون-بر-عایق (SOI) ، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.
مقدمه
نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنایMOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n ونوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی _یعنی ساده ترین وسیلۀ آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar [2] نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز-مایع-جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت_ سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشدۀ دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیۀ عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا-به-پایین وسایل Si-NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع-ترانزیستور (یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back-gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلیدزنی، تغییر یافتنی باشد.