تحقیق رله دیستانس…

دسته: برق

حجم فایل: 1105 کیلوبایت

تعداد صفحه: 81

مقدمه

رله دیستانس اولین بار در آلمان در سال 1923در یک شبکه فشار قوی نصب گردید. این رله یک رله حفاظتی است که زمان قطع آن تابع مقاومت طول سیم می باشد. در اغلب اوقات باید زمان قطع رله تابع محل اتصال کوتاه نسبت به رله باشد؛ واز این جهت بایدزمان قطع هررله؛ تابع جهت معینی از انرژی اتصال کوتاه نیز گردد. با توجه به اینکه هر چه محل اتصالی رله بیشتر باشد مقامت ظاهری قطعه سیم بین محل اتصالی تا رله بزرگتر میگردد. از آنجا که در رشد تاسیسات برقی رابطه مستقیمی بین مقاومت و طول سیم موجود است؛ لذا با استفاده از رله دیستانس بعنوان رله حفاظتی در سراسر خطوط انتقال انرژی؛ عملا ومشکل حفاظت موضعی و سلکتیو وتنظیم جهش زمانی رله های پی در پی نیز برطرف می گردد.

اگر یک شبکه حلقوی را با رله های دیستانس حفاظت کرده باشیم در آن اگراتصال کوتاهی رخ دهد تمام رله های دیستانس موجود که جریان اتصال کوتاه از آن عبور می کند تحریک میشوند؛ ولی فقط نزدیکترین رله به محل اتصالی موفق به قطع سیم اتصال شده از شبکه می شودزیرا قطعه سیم بین این دو نقطه نزدیکترین مقاومت را شامل است و بدین جهت زمان قطع این رله نیز از همه کوتاهتر است.

رله دی ستانس را می توان جهت هر نوع شبکه ای با هر فشار الکتریکی بکار برد. برای حفاظت شبکه های با ولتاژ بالاتر از 60هزار ولت؛ امروزه فقط از رله دیستانس استفاده میشود.

1-عضو سنجشی (عضو زمانی)

2-عضو تحریک کننده

3-عضو جهت یاب

4-رله های کمکی

در ضمن باید دانست که عضو سنجشی رله دیستانس مطلقا مقدار قدر مطلق عوامل مؤثر را نمی سنجد، بلکه تغییرات مقدار کمیتی را که قبلا تنظیم شده است می سنجد.

عامل مؤثر در رله دیستانس می تواند هر یک از کمیتهای زیر باشد:

1-مقاومت ظاهری (امپدانس)

2-هدایت ظاهری (ار میتانس)

3-مقاومت اهمی Zcos (رزیستانس)

4-هدایت اهمی (کندو کتانس)

5-مقاومت غیر اهمی Zsin (راکتانس)

6-هدایت غیراهمی (سوسپتانس)

7-امپدانس مخلوط

رله ای که کمیت Zرا می سنجد رله امپدانس ورله ای که کمیت X را می سنجد رله را کتانس گفته می شود.

- دستگاه مختصات R-Xو اصول مربوط به آن

با استفاده از این دستگاه مختصات می توان نمودار مشخصه عملکرد هر رله فاصله را بر نمودار مشخصه هر سیستم برق رسانی سوار کرد و پاسخ رله را بی درنگ مشخص ساخت.

رله فاصله به ازای رابطه معینی بین مقدار جریان و ولتاژ و اختلاف فاز بین آنها عمل خواهد کرد. در هر موقعیت مفروض از استقرار رله فاصله، بعضی روابط مشخص بین ولتاژ جریان و اختلاف فاز وجود خواهد داشت. بنابر این، طریقه کار این است که نموداری بسازیم که روابط بین این سه کمیت را (اولا) آن طور که سیستم به وجود می آید و (ثانیا) آن گونه که برای عملکرد رله لازم است نشان دهد.

همانگونه که بیان شد، در دستگاه مختصات R-X، سه متغییر ولتاژ و جریان واختلاف فاز به دوم متغییر تبدیل می شوند. این منظور، از تعیین خارج قسمت مقدار مؤثر ولتاژ بر مقدار مؤثر جریان که امپدانس نام دارد حاصل می شود (با امپدانس) کاری فعلا نداریم). سپس مؤلفه های مقاومت و راکتانس Z را از روی رابطه های آشنا R=Zcosو X=Zsi استخراج می کنبم. راوقتی مثبت می دانیم که با فرض همبندیهای معینی در رله ومبادی مقایسه مشخص، I نسبت به Vپس افت د اشته باشد.

این مقادیرRو X، مختصات نقطه ای در دستگاه R-X هستند که ترکیب معینی از V و I و را نشان می دهند.، R X می توانند مقادیر مثبت یا منفی اختیار کننداما Z همیشه باید مثبت باشد. هر مقدار منفیZ راکه از گذاردن مقادیر خاصی از در معادله بدست آید باید نادیده گرفت، زیرا این مقدارهای منفی ارزش عملی ندارند.

در شکل صفحه بعد، دستگاه مختصاتR-X ونقطهP که نمایشگر مقدارهای ثابتی از VوIو است دیده می شود ودر این شکل، فرض بر این است که I مقداری کمتر از 90 درجه نسبت به Vپس افت داشته باشد.

پاره خط مستقیمی که ا ز مبدابه نقطه Pکشیده شود مقدار Z را نمایش می دهدو زاویه ای است که در جهت پاد ساعتگر از محور +R بطرف Z اندازه گیری می شود.

پیداست که محل نقطه P رامی توان با دانستن مقدارهای Zو وبدون استخراج مؤلفه های RوXبدست آورد، و یا محاسبه نسبت مختلط VبرI، مقادیر RوXرا مستقیما وبدون در- نظرگرفتن تعیین کرد.

اگر V وIو تغییر کنند می توان چندین نقطه را در دستگاه مختصات مشخص ساخت و از بهم پیوستن آنها یک منحنی بدست آورد که مشخصه عملکرد را نمایش دهد.

قیمت: 12,000 تومان

تحقیق خصوصیات Atmega8L,Atmega8…

دسته: برق

حجم فایل: 35 کیلوبایت

تعداد صفحه: 44

*ازمعماری AVR RISC استفاده می کند.

- کارایی بالا توان مصرفی کم

- دارای 130 دستورالعمل با کارآیی بالا که اکثر در یک کلاک سیکل اجرا می شوند.

32*8 رجیستر کاربردی

-سرتعتی تا 16MIPS در فرکانس 16MHZ

حافظه> برنامه و داده غیر فرار

- 8K بای ت حافظه FLASH داخلی قابل برنامه ریز ی

پایداری حافظه FLASH و فابلیت 10000 بار نوشتن و پاک کردن (WRIT/ERASE)

1024 بایت حافظه EEPROM داخلی قابل برنامه ریزی

پایااری حافظه EEPROM قابلیت 100، 000 بار نوشتن و پاک کردن (WRITE/ERASE)

فعل برنامه FLASH حفاظت داده EEPROM

*خصوصیات جانبی

دو تایمر – کانتر (TIMER/COUNTER) 8 بیتی با PRESCALER مجزا و دارای نذ COMARER و CAPUTER

- 3 کانال PWM

- 8 کانال مد آنالوگ به دیجیتال در بسته بندی های TQFP و MLF

6 کانال با دقت 10 بیتی

2 کانال با دقت 8 بیتی

- 6کانال مبدل آنالوگ به دیجیتال در بسته بندیهای PDIP

4 کانال با دقت 10 بیتی

2 کانال با دقت 8 بیتی

- دارای (REAL-TIME CLOCK) یااسیلاتور مجزا

- یک مقایسه کننده آنالوگ داخلی

- USART سریال قابل برنامه ریزی

- WATCHDOG قابل برنامه ریزی با اسیلاتور داخلی

- ارتباط سریال SPI برای برنامه ریزی داخل مدار (IN SYSTEM PROGRAMING)

- قابلیت ارتباط سریال (SERIAL PERIPHERAL INTERFACE) SPI به صورت MASTER یا SLAVE

- قابلیت ارتباط با پروتکل سریال دو سیمه (TOW-WIRE)

*خصوصیات ویژه میکرکنترلر

- POWER- ON RESET CIRCULT

- دارای 5 حالت IDEL ADC NOISE REDUCCTION، POWER- SAVE، POWER- DOWN و STANDBY)

-منابع وقفه (INTERPUT) داخلی و خارجی

- دارای اسیلاتور RC داخلی کالبیره شده

- عملکرد کاملاً ثابت

- توان مصرفی پائین و سرعت بالا توسط تکنولوژی CMOS

*توان مصرفی در 3V، 4MHZ و

- حالت فعال (ACTIVE MODE) 3. 6 Ma

- در حالت بیکاری (IDELMODE) 1. 0، Ma

- در حالت POWER- DOWN:

*ولتاژ های عملیاتی (کاری)

- 2. 7V تا 5. 5 برای (Atmega 8L)

-4. 5V تا 5. 5V برای (Atmega8)

*فرکانسهای کاربری

- 0MHZ تا8MHZ برای (Atmega 8L)

- 0MHZ تا 16MHZ برای (Atmega 8)

*خطوط 1/0 و انواع بسته بندی

- 23 خطوط ورودی / خروجی (I/O) قابل برنامه ریزی

- 28 پایه PDIP و 32 پایه TAFP و MLF

*ترکیب پایه ها

فیوز بیت های ATMEFGA8

قیمت: 8,000 تومان

تحقیق تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n)…

دسته: برق

حجم فایل: 69 کیلوبایت

تعداد صفحه: 41

تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند.. ناحیه p انتهایی آند، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است. آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود. این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایان نامه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد. در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد. در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد. برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد. تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد.

اگر به پایان نامه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند، منتشر می شوند. اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد. این حاملها پس از عبور، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند. حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود.

حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند

بود.

جریان ناشی از:

1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها) از اتصال

2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال

3-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه

می یابند اتصال را قطع می کند.

4-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است. عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت.

برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد.

قیمت: 8,000 تومان

تحقیق ترجمه درس الکترونیک صنعتی…

دسته: برق

حجم فایل: 145 کیلوبایت

تعداد صفحه: 49

انواع ساختارکلی عرضه یک ساختار 3 فازی. تجزیه و تحلیل مدار برقی در این بخش از ساختر مشابه به مدار برقی به عنوان یک خانواده کلی استفاده کرده است و لتاژ مشابه به فرکانس در ساختر دسته بندی شده در حالت مشابه در این بخش مورد ارزیابی قرار گرفته. هر چند در مورد بار پلی فاز، رابطه بین بار طبیعی و عرضه به منظور کاهش ولتاژ اصلی و متناسب می تواند کاهش یابد، مبدل ثانویه می تواند به منظور ارتقاء فاکتورهای مورد استفاده به منافذ متصل شوند. در این حالت با تجزیه و تحلیلهای خودمان را به منظور افزایش نتیجه ساختار 3 فازی تصدیق می کنیم. زمانی که چند لاکننده یک گرد، خاص بار 3 فازی ارائه می دهد. مجموعه، ولتاژ حاصل در مقایسه با فرکانس زاویه مربوطه به صورت زیر مطرح می شود: Kw، 3Kw، 5Kw، 7Kw، 9Kw، 11Kw. اگر رابطۀ بین ساختار خشی عرضه، و بار کاهش یابد، یک نوع ساختار خشی عرضه، و بار کاهش یابد، یک نوع ساختار هارمونک 3 ویا کد ساختار چند دلار فاز مربوطه مطرح می شود در این حالت این ساختار در 3 فاز می تواند مدت طولانی تری بماند ولتاژ های V2، V3 با توجه به گسترش آنها به صورت زیر می توانند مطرح شوند: Kw، 5Kw، 7Kw، 11Kw. به صورت کلّی، اگر باز فاز q باشد، کاهش خنثی می تواد هارمونیک Kg یا زیاد کند و یا آن را مضاعف کند عدم وجود رابطه خنثی تجزیه و علتهای مضاعف را با مشکل مواجه می کند. در این حالت، ساختارهای اجرایی فازq مدت طولانی تری نمی تواند مستقل بمانند. در نتیجه ما فقط می توانیم فرکانس 3 تایی را با محصول3 فاز مورد تجزیه و تحلیل قرار دهیم. ماهیت و پیچدگی این نوع محاسبات ب انتایج ذکر شده در مورد کنترل کامل و ساختار تنظیم کند 3 فازی قابل مقایسه هستند.

ما بعد آنشان خواهیم داد که، در نهایت، همانطور که نتایج کیفی ساختارها نگران کننده هستند. نتایج به دست آمده به ساختار افزایند. با یک نتیجه 3 فازی که دستان نسبت ساختار مضاعف K از3 متفاوت است، قابل انتقال می باشند. این قبیل ساختارها باعث می شود تا بتوانیم ویژگیهایی برای مقادیر متفاوت K عنوان کنیم.

فرکانس 3 تایی: شکل 613، بیانگر تصویر مدار برقی 3 فاز و فرکانس حاصل است که بدون رابطه ای خنثی بیان شده است و از 3 گرد ساختار6تایی با 3 سیستم متعادل3 فازی با توجه به ولتاژ زمان T و حرکت با فاصله زمان مناسب TA استفاده کرده است.

تجزیه و تحلیل فاصله ای: میزان ارائه ولتاژ P در طول هدایت ساختار T1 شبیه به V3 در طول هدایت T2A است و یا شبیه به V/3 در طول هدایت T است حالا این نوع زمانهایمربوط به هدایت ساختار از طریق 27a جایگزین می شوند، در نتیجه فرمول زیر را داریم:

قیمت: 9,000 تومان

تحقیق ترانزیستور اثر میدانی FET…

دسته: برق

حجم فایل: 1224 کیلوبایت

تعداد صفحه: 85

فصل اول

مشخصات JFET

1ـ1 مقدمه

ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایان نامه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.

اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.

درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.

عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.

این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده‌های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.

قیمت: 12,000 تومان