دانلود انواع مقاله
(پروژه، مقاله، پایان نامه، گزارش کارآموزی، سوالات استخدامی، طرح توجیهی و...)دانلود انواع مقاله
(پروژه، مقاله، پایان نامه، گزارش کارآموزی، سوالات استخدامی، طرح توجیهی و...)روشی برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک…
- عنوان لاتین مقاله: Comprehensive Approach to Modeling and Simulation of Photovoltaic Arrays
- عنوان فارسی مقاله: روشی جامع برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک.
- دسته: برق و الکترونیک
- تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 42
- جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
- نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.
خلاصه
این مقاله یک روش مدل سازی و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک را اریه می دهد. هدف اصلی در اینجا، پیدا کردن پارامترهای معادلات غیرخطی I-V، با تنظیم منحنی در سه نقطه، می باشد: مدار-باز، ماکزیمم توان، اتصال کوتاه. با داشتن این سه نقطه که توسط همه دیتاشیت های آرایه های تجاری ارایه می شوند. مدل ارایه شده، بهترین معادلات I-V را برای مدل فتوولتاییک تک-دیود (PV) ، شامل اثر مقاومت های سری و موازی، می یابد و تضمین می کند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایۀ واقعی، مطابق باشد. با داشتن پارامترهای معادلات تنظیم شده I-V، می توان یک مدل مداری PV را با یک شبیه ساز مداری با استفاده از بلوک های ساده ریاضی ساخت. روش مدل کردن و مدل مداری ارایه شده، برای طراحان الکترونیک قدرتی که به یک روش مدل سازی ساده، سریع، دقیق، و آسان برای بکاربری در شبیه سازی سیستم های PV نیاز دارند، سودمند می باشد. در صفحات نخست، خواننده با وسایل PV آشنا می شود و پارامترهایی را که مربوط به مدل PV تک-دیود می شوند را درمی یابد. سپس روش مدل سازی معرفی شده و بصورت دقیق ارایه می شود. این مدل برای اطلاعات تجربی آرایه های PV تجاری، معتبر می باشد.
کلمات کلیدی: آرایه، مدار، معادل، مدل، مدل سازی، فتوولتاییک (PV) ، شبیه سازی.
مقدمه
یک سیستم فتوولتاییک (PV) نور خورشید را بصورت مستقیم به الکتریسیته تبدیل می کند. وسیله اصلی سیستم PV، پیل خورشیدی (PV) می باشد. پیل ها (سلول ها) را می توان گروه بندی کرده و پنل ها یا آرایه ها را تشکیل داد. ولتاژ و جریان تولیدی در پایان نامه های سیستم PV را می توان بصورت مستقیم در کاربردهای کوچکی همچون مصارف روشنانیی و موتورهای DC، مورد استفاده قرار داد. به منظور استفاده در کاربردهای پیچیده تر، به مبدل های الکترونیکی برای پردازش الکتریسیته از پایان نامه های PV، نیاز می باشد. از این مبدل ها می توان برای تنظیم کردن ولتاژ و جریان در سمت بار استفاده کرد، تا پخش بار آنها را در سیستم های متصل به شبکه کنترل کرده، و به عنوان کاربرد اصلی تر، از آنها برای یافتن ماکزیمم (بیشینه) نقطه توان (MPP) استفاده کرد.
- فرمت: zip
- حجم: 2.31 مگابایت
- شماره ثبت: 411
روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده، برای کاهش جریان نشتی…
چکیده
کنترل بردار ورودی (IVC) تکنیک معروفی برای کاهش توان نشتی است. این روش، از اثر پشته های ترانزیستوری در دروازه های منطقی (گیت) CMOS با اعمال مینیمم بردار نشتی (MLV) به ورودی های اولیه مدارات ترکیبی، در طی حالت آماده بکار استفاده می کند. اگرچه، روش IVC (کنترل بردار ورودی) ، برای مدارات با عمق منطقی زیاد کم تاثیر است، زیرا بردار ورودی در ورودی های اولیه تاثیر کمی بر روی نشتی گیت های درونی در سطح های منطقی بالا دارد. ما در این مقاله یک تکنیک برای غلبه بر این محدودیت ارایه می کنیم؛ بدین سان که گیت های درونی با بدترین حالت نشتی شان را با دیگر گیت های کتابخانه جایگزین می کنیم، تا عملکرد صحیح مدار را در طی حالت فعال تثبیت کنیم. این اصلاح مدار، نیاز به تغیر مراحل طراحی نداشته، ولی دری را به سوی کاهش بیشتر نشتی وقتی که روشMLV (مینیمم بردار نشتی) موثر نیست باز می کند. آنگاه ما، یک روش تقسیم و غلبه که جایگزینی گیت های را مجتمع می کند، یک الگوریتم جستجوی بهینه MLV برای مدارات درختی، و یک الگوریتم ژنتیک برای اتصال به مدارات درختی، را ارایه می کنیم. نتایج آزمایشی ما بر روی همه مدارات محک MCNC91، نشان می دهد که 1) روش جایگزینی گیت، به تنهایی می تواند 10% کاهش جریان نشتی را با روش های معروف، بدون هیچ افزایش تاخیر و کمی افزایش سطح، بدست آورد: 2) روش تقیسم و غلبه، نسبت به بهترین روش خالص IVC 24% و نسبت به روش جایگذاری نقطه کنترل موجود 12% بهتر است: 3) در مقایسه با نشتی بدست آمده از روش MLV بهینه در مدارات کوچک، روش ابتکاری جایگزینی گیت و روش تقسیم-و-غلبه، به ترتیب می توانند بطور متوسط 13% و 17% این نشتی را کاهش دهند.
کلیدواژه: جایگزینی گیت، کاهش نشتی، مینیمم بردار نشتی
مقدمه
همزمان با کوچک شدن فناوری VLSI و ولتاژ منبع/آستانه، توان نشتی در مدارات CMOS امروزه دارای اهمیت بیشتر و بیشتر شده است. به عنوان مثال، در طراحی ها نشان داده شده است که توان نشتی زیرآستانه می تواند به بزرگی 42% توان کل تولید فرآیند 90 نانومتری شرکت داشت باشد [11]. بدین ترتیب، روش های زیادی اخیرا برای کاهش مصرف توان نشتی ارایه شده اند. فرآیند ولتاژ آستانه دوگانه، از وسایل با ولتاژ آستانه بیشتر، به همراه مسیرهای غیر بحرانی، استفاده می کند تا جریان نشتی را ضمن تثبیت عملکرد، کاهش دهد [16]. روش های CMOS ولتاژ آستانه چندگانه (MTCMOS) ، یک وسیله با ولتاژ Vth بالا را بطور سری با مدار با Vth پایین قرار داده، و یک ترانزیستور sleep می سازد.
روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده…
- عنوان لاتین مقاله: A Combined Gate Replacement and Input Vector Control Approach for Leakage Current Reduction
- عنوان فارسی مقاله: روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده، برای کاهش جریان نشتی.
- دسته: برق و الکترونیک
- تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 36
- جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
- نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.
خلاصه
کنترل بردار ورودی (IVC) تکنیک معروفی برای کاهش توان نشتی است. این روش، از اثر پشته های ترانزیستوری در دروازه های منطقی (گیت) CMOS با اعمال مینیمم بردار نشتی (MLV) به ورودی های اولیۀ مدارات ترکیبی، در طی حالت آماده بکار استفاده می کند. اگرچه، روش IVC (کنترل بردار ورودی) ، برای مدارات با عمق منطقی زیاد کم تاثیر است، زیرا بردار ورودی در ورودی های اولیه تاثیر کمی بر روی نشتی گیت های درونی در سطح های منطقی بالا دارد. ما در این مقاله یک تکنیک برای غلبه بر این محدودیت ارایه می کنیم؛ بدین سان که گیت های درونی با بدترین حالت نشتی شان را با دیگر گیت های کتابخانه جایگزین می کنیم، تا عملکرد صحیح مدار را در طی حالت فعال تثبیت کنیم. این اصلاح مدار، نیاز به تغیر مراحل طراحی نداشته، ولی دری را به سوی کاهش بیشتر نشتی وقتی که روشMLV (مینیمم بردار نشتی) موثر نیست باز می کند. آنگاه ما، یک روش تقسیم و غلبه که جایگزینی گیت های را مجتمع می کند، یک الگوریتم جستجوی بهینه MLV برای مدارات درختی، و یک الگوریتم ژنتیک برای اتصال به مدارات درختی، را ارایه می کنیم. نتایج آزمایشی ما بر روی همه مدارات محک MCNC91، نشان می دهد که 1) روش جایگزینی گیت، به تنهایی می تواند 10% کاهش جریان نشتی را با روش های معروف، بدون هیچ افزایش تاخیر و کمی افزایش سطح، بدست آورد: 2) روش تقیسم و غلبه، نسبت به بهترین روش خالص IVC 24% و نسبت به روش جایگذاری نقطه کنترل موجود 12% بهتر است: 3) در مقایسه با نشتی بدست آمده از روش MLV بهینه در مدارات کوچک، روش ابتکاری جایگزینی گیت و روش تقسیم-و-غلبه، به ترتیب می توانند بطور متوسط 13% و 17% این نشتی را کاهش دهند.
کلمات کلیدی: جایگزینی گیت، کاهش نشتی، مینیمم بردار نشتی
مقدمه
همزمان با کوچک شدن فناوری VLSI و ولتاژ منبع/آستانه، توان نشتی در مدارات CMOS امروزه دارای اهمیت بیشتر و بیشتر شده است. به عنوان مثال، در طراحی ها نشان داده شده است که توان نشتی زیرآستانه می تواند به بزرگی 42% توان کل تولید فرآیند 90 نانومتری شرکت داشت باشد [11]. بدین ترتیب، روش های زیادی اخیرا برای کاهش مصرف توان نشتی ارایه شده اند. فرآیند ولتاژ آستانه دوگانه، از وسایل با ولتاژ آستانه بیشتر، به همراه مسیرهای غیر بحرانی، استفاده می کند تا جریان نشتی را ضمن تثبیت عملکرد، کاهش دهد [16]. روش های CMOS ولتاژ آستانه چندگانه (MTCMOS) ، یک وسیله با ولتاژ Vth بالا را بطور سری با مدار با Vth پایین قرار داده، و یک ترانزیستور sleep می سازد.
- فرمت: zip
- حجم: 1.08 مگابایت
- شماره ثبت: 411
روش جدید برای تعیین پارامترهای مدار سیم پیچی میدان و میراگر ماشین سنکرون…
- عنوان لاتین مقاله: A Novel and Fundamental Approach towards Field and Damper Circuit Parameter Determination of Synchronous Machine
- عنوان فارسی مقاله: روش تازه و بنیادین برای تعیین پارامترهای مدار سیم پیچی میدان و سیم پیچ میراگر ماشین سنکرون.
- دسته: برق و الکترونیک
- تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 30
- جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
- نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.
خلاصه
در این عصر محاسبات پیشرفته که الگوریتم های پیشرفته وتکنیک های پرهزینه برای تعیین پارامترهای ماشین سنکرون استفاده می شوند، این مقاله روشی تازه، اقتصادی و با این وجود، بنیادین را برای تخمین پارامترهای محورهای d و q مدار میدان و مدار میراگر یک ماشین سنکرون با سیم پیچ میدان با توان کم/متوسط را ارایه می دهد. روش جدید پیشنهاد شده، از روابط بنیادین ولتاژ، جریان، و نشتی شار یک ماشین سنکرون با سیم پیچ میدان سه فاز، در یک توالی مرجع a-b-c بهره می گیرد. نخست، روش پیشنهاد شده با جزییات آن توسط معادلات تحلیلی توضیح داده شده، و سپس برای تعیین پارامترهای نامبرده یک ماشین سنکرون کوچک آزمایشگاهی بکار گرفته شده است. پارامترهای دیگر مدار معادل، با استفاده از آزمایش های قرار دادی تعیین شده اند. اعتبار بیشتر این روش، با بکازگیری آن در دو ماشین بزرگتر با پلاک های متفاوت، انجام شده است. به علاوه، پارامترهای نامبرده ماشین های بزرگتر نیز با استفاده از تست های استاندارد IEEE بطور تجربی تعیین شده اند. سرانجام، یک مقایسه بین نتایج بدست آمده از روش رایج و روش ارایه شده ما انجام شده و روش ما به خاطر تطابق نزدیک آن با نتایج روش اصلی، معتبر شناخته شده است.
کلمات کلیدی: مدار میراگر، مدار میدان، تخمین پارامتر، ماشین سنکرون پیچ میدان
مقدمه
مقاله های زیادی از اولین آنها توسط [1] و [2]، تا به امروز دربارۀ تعریف، تعیین مشخصه، و اندازه گیری پارامترهای الکتریکی ماشین های سنکرون [3] و [4] نوشته شده اند. تست های صنعتی و استانداردهای اندازه گیری توسط اعضای معروف امریکای شمالی و اروپا یعنی IEEE 115, IEEE 1110, IEC و NEMA MGI-2006 نیز همچنین برای تعیین پارامترها و مطالعات پایداری و دینامیک، وجود دارند [5] و [7]. با وجود اینکه تحقیق بر روی تعیین پارامتر ماشین های سنکرون با میدان سیم-پیچی شده از دهه های پیشین آغاز شده است، این عنوان به دلیل نیاز به روش تعیین پارامتر بنیادین، ارزان قیمت، مطمین، و از همه مهم تر قابل اطمینان، هنوز هم مورد تحقیقات فعالی قرار می گیرد.
- فرمت: zip
- حجم: 1.49 مگابایت
- شماره ثبت: 411
روش جاروب رو به عقب، حل پخش بار در شبکه های توزیع…
- عنوان لاتین مقاله: A backward sweep method for power flow solution in distribution networks
- عنوان فارسی مقاله: روش جاروب رو به عقب، برای حل پخش بار در شبکه های توزیع.
- دسته: برق و الکترونیک
- تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 27
- جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
- نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.
خلاصه
در اینجا، یک روش برای تجزیه و تحلیل سیستم های توزیع شعاعی یا مش شده ضعیف، که بارهای وابسته به ولتاژ را تغذیه می کنند، توسعه داده شده است. فرآیند راه حل، بصورت تکراری می باشد، و در هر مرحله، بارها از طریق امپدانس هایشان شبیه سازی شده اند. بنابراین، در هر تکرار، لازم است که یک شبکۀ ساخته شده از امپدانس ها را، حل کرد؛ براین این نوع شبکه ها، می توان همۀ ولتاژها و جریان ها را بصورت توابع خطی از یک جریان مجهول (در سیستم شعاعی) ، یا دو جریان مجهول برای هر مش مستقل (برای سیستم های مش شده) ، بیان کرد. این روش، 'رو به عقب' نام گذاری شده است؛ زیرا در صورت شبکه شعاعی، معادلات تکی، و در صورت شبکه های مش، سیستم خطی معادلات که این جریان های مجهول در قالب آنها ظاهر می شوند را می توان با آغاز از گره های پایانی سیستم شعاعی، یا از گره های پایانی شبکه شعاعی شده (با ایجاد برش در شبکه های مش، ایجاد می شود) ، تعیین کرد. پس از این که چکیده-وار روش b/f _که هم اکنون پرکاربردترین تکنیک برای حل شبکه های توزیع است_ را تشریح کردیم، روش شناسی راه حل ارایه شدۀ خود را، هم برای سیستم های شعاعی و هم برای سیستم های مش شده (حلقه ای) ، بطور دقیق ارایه می دهیم. سپس، روشی را که با آن می توان نقاط PV را لحاظ کرد، توصیف خواهد شد.
در پایان، نتایج بدست آمده از حل برخی شبکه هایی که پیش از این در نوشتجات مورد بررسی قرار گرفته بودند، توسط دیگر روش ها ارایه می شوند، تا عملکرد آنها مورد ارزیابی قرار گیرد.
کاربرد این روش، بازدۀ آن را در حل شبکه های توزیع با حلقه ها و نقاط PV زیاد، نشان می دهد.
کلمات کلیدی: روش رو به عقب/ رو به جلو، شبکه های توزیع مش و شعاعی، گره های pv، گردش بار
مقدمه
روشی که هم اکنوان برای تجزیه و تحلیل سیستم های توزیع شعاعی ارایه می شود، روش رو به عقب/ رو به جلو (b/f) نام دارد، که برای بارهای با جریان ثابت، پاسخ را در یک تکرار، و برای بارهای نوع دیگر (بار توان ثابت، مرکب، یا غیره) ، در 1 تکرار یا بیشتر، پاسخ را می یابد.
به خوبی می دانیم که سه گونه از روش b/f وجود دارد _که طبق نوع کمیت های الکتریکی که در هر تکرار، از گره های ترمینال شروع شده، و تا گره های منبع (جاروب رو به عقب) ادامه دارند، با هم متفاوت هستند_ محاسبه می شوند:
- فرمت: zip
- حجم: 1.26 مگابایت
- شماره ثبت: 411