جاوا اسکریپت (پایان نامه فناوری اطلاعات و کامپیوتر)…

مقدمه

انتخاب موضوع جاوا اسکریپت، به معنی ورود به دنیای طراحی و برنامه نویسی صفحات وب است. وب جهانی که در ابتدا تنها به عنوان مخزنی از اطلاعات مختلف که در قالب صفحاتی ساکن تنظیم شده بودند در نظر گرفته می شد. با رشد سریع خود توانست به یکی از مهمترین وسایل آموزشی، ارتباطی، تجاری و تفریحی تبدیل شود. به موازات رشد سریع این رسانه، ابزارها و روشهای توسعه آن نیز رشد کرده و متحول شده است. گرچه جاوا اسکریپت یک زبان برنامه نویسی است، فراگیری آن بسیار ساده است. برخلاف اکثر زبانهای برنامه نویسی، برای آموختن این زبان به دانش زیادی نیاز ندارید. سادگی و در عین حال توانایی های فوق العاده این زبان آن را به یک ابزار مشهور و پرطرفدار برای برنامه نویسی در صفحات وب تبدیل کرده است. در واقع امروزه کمتر صفحه وبی را می یابید که در آن از جاوا اسکریپت استفاده نشده باشد.

فهرست

چکیده 5

جاوا اسکریپت چیست؟ 6

اصول اسکریپت نویسی در صفحات وب 6

اسکریپتها و برنامه ها 6

معرفی جاوا اسکریپت 7

قابلیتهای جاوا اسکریپت 7

جاوا اسکریپت در مقابل جاوا 7

چگونه جاوا اسکریپت در صفحات وب قرار می گیرد؟ 8

خلق یک اسکریپت 8

ابزار اسکریپت نویسی 9

آغاز خلق اسکریپت 9

بررسی قابلیتهای جاوا اسکریپت 9

زیباتر کردن صفحات وب به کمک جاوا اسکریپت 10

استفاده از نوار وضعیت 10

کاربابرنامه های اتصالی 10

برنامه های جاوا اسکریپت چگونه کار می کنند 11

توابع در جاوا اسکریپت 11

اشیاءدر جاوا اسکریپت 13

جاوا اسکریپت از سه نوع شیء پشتیبانی می کند13

کنترل حوادث 13

مخفی کردن اسکریپتها از مرورگرهای قدیمی 14

استفاده از مقادیر و ذخیره سازی آن 15

انتخاب نام برای متغییرها 15

تعیین مقدار برای متغییر ها 15

انواع اساسی داده ها در جاوا اسکریپت 16

انواع داده جاوا اسکریپت16

آرایه ها و رشته ها 16

خلق یک شیء 17

بررسی و مقایسه متغییرها 17

دستور17

دستور 18

تکرار دستورات باکمک حلقه ها 18

حلقه های 18

حلقه های 19

حلقه های 19

اشیاء درون ساخت مرورگر 19

اشیاء چیستند؟ 19

خلق اشیاء 19

خاصیتهای اشیاء و مقادیر 20

گرد کردن اعداد 20

خلق اعداد تصادفی 21

کار با تاریخها 21

مدل شیئی سند 21

درک مدل شیئی سند 21

دسترسی به تاریخچه مرورگر 22

خلق اشیاء اختصاصی 23

استفاده از اشیاء برای ساده کردن اسکریپتها 23

اختصاصی کردن اشیاء درون ساخت 24

پنجره ها و زیر صفحه ها 24

کنترل پنجره ها با استفاده از اشیاء 24

ایجاد وقفه های زمانی 25

استفاده از اشیاء جاوا اسکریپت برای کار با زیر صفحه ها 25

دریافت اطلاعات به کمک پرسشنامه ها 26

اصول طراحی پرسشنامه ها 26

شیءfrom در جاوا اسکریپت 26

ورودیهای متن 26

ورودیهای چند خطی متن 26

کار با متن در پرسشنامه ها 26

دکمه ها 27

مربعهای گزینش 27

دکمه های رادیوئی 27

تصاویر گرافیکی و انیمیشن 28

استفاده از جاوا اسکریپت برای کار با نقشه های تصویری 28

تصاویر دینامیک در جاوا اسکریپت 28

اسکریپتهای فرامرور گری 29

دریافت اطلاعات مرورگر 29

حل مشکل ناسازگاری مرورگرها 29

خلق یک صفحه چند منظوره 29

هدایت کاربران به صفحات وب 29

خلق یک صفحه چند منظوره 29

کار با شیوه نامه ها 30

معرفیHTML دینامیک 30

شیوه و ظاهرصفحات 31

تعریف و استفاده از شیوه 31

تنظیم مکان متن 31

تغییر رنگ و تصاویر زمینه 32

کار با فوتنها 32

کنترل شیوه ها بکمک جاوا اسکریپت 32

استفاده از لایه ها برای خلق صفحات دینامیک 33

لایه ها چگونه کار می کنند؟ 33

دو استاندارد برای خلق لایه ها 33

خلق لایه های 34

تعریف خواص لایه ها 34

استفاده از جاوا اسکریپت برای توسعه یک سایت وب 34

خلق سند 34

استفاده از لیستهای بازشونده برای تسهیل هدایت کاربران 35

خلق دستوراتHTML، وایجاد ساختارداده ای 35

افزودن توضیحاتی در مورد پیوندها 36

استفاده از پیوندهای گرافیکی 36

نتیجه 37

خلاصه 38

فهرست منابع 39

تکنیک پخش بار بهینه جریان توان پیوندی (هیبرید)…

چکیده

در این مقاله یک مدل پخش بار بهینه (OPF) با جریان توان پیوندی مبنی بر تزریق جریان معادل (ECI) ارایه شده، و نیز الگوریتم نقطه داخلی پیشبینی کننده تصحیح کننده (PCIPA) ، به منظور بکارگیری OPF (پخش بار بهینه) برای حل مسایل برنامه نویسی غیر خطی (NLP) عنوان شده است. همچنین روش ارایه شده را می توان به دو زیر مساله، تجزیه کرد. نتایج محاسباتی باس های IEEE 9 تا 300 نشان دادند که الگوریتم ارایه شده می تواند با بهبود تعداد تکرارها، ذخیره سازی های حافظه، و زمان CPU، باعث بهبود عکلکرد شود.

اصطلاحات مربوطه: تزریق جریان معادل، برنامه نویسی غیرخطی، پخش بار بهینه، الگوریتم نقطه داخلی پیشبینی کننده تصحیح کننده

مقدمه

پخش بار بهینه برای نخستین بار در سال 1962 مورد بحث قرار گرفت [1] و مدت ها طول کشید تا به یک الگوریتم پرکاربدی که در کاربردهای روزانه بکار رود، تبدیل شود [2] و [3]. OPF را می توان نه تنها در برنامه ریزی سیستم بکاربرد، بلکه می توان آن را در عملکرد لحظه ای سیستم های قدرت، در محیط حذف نظارت دولت نیز اعمال کرد. مرجع [4]، یک معرفی کلی از تکنیک های روش تکرار لامبدا، روش گرادیان، روش نیوتون، و برنامه نویسی خطی (LP) به منظور حل مسایل OPF ارایه داده است. با انتشار Karmarkar [5] در سال 1984، الگوریتم های نقطه داخلی (IPA) زیادی برای برنامه نویسی خطی و برنامه نویسی درجه دوم (QP) ارایه شده است. در سال های اخیر، الگوریتم نقطه داخلی اولیه دوگانه، بطور گسترده به منظور حل مسایلی همچون [6]، [7]، پیشبینی حالت [8]، OPF با امنیت محدود [9]، و پخش بار راکتیو بهینه [10] بکار رفته است. نتایج عددی نشان می دهند که PCIPA توانایی زیادی برای حل مسایل عملکرد و برنامه ریزی سیستم قدرت در مقایسه با روش های مرسومی همچون روش نیوتون [11] دارد.

تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى نانو وایر سیلیکون ...…

چکیده

در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون بر عایق (SOI) ، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS NW CMOS نشان داده شده است.

مقدمه

نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنای MOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n و نوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی یعنی ساده ترین وسیله آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز مایع جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشده دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیه عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا به پایین وسایل Si NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع ترانزیستور (یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلیدزنی، تغییر یافتنی باشد.

تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم…

• عنوان لاتین مقاله: Dopant-Independent and Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications
• عنوان فارسی مقاله: تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد.
• دسته: برق و الکترونیک
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 11
• جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
• نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.

خلاصه

در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون-بر-عایق (SOI) ، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.

مقدمه

نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنایMOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n ونوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی _یعنی ساده ترین وسیلۀ آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar [2] نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز-مایع-جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت_ سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشدۀ دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیۀ عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا-به-پایین وسایل Si-NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع-ترانزیستور (یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back-gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلیدزنی، تغییر یافتنی باشد.

• فرمت: zip
• حجم: 2.08 مگابایت
• شماره ثبت: 411

تعیین اندازه بهینه سیستم ذخیره سازی انرژی در یک ریزشبکه…

• عنوان لاتین مقاله: Reliability-Constrained Optimal Sizing of Energy Storage System in a Microgrid
• عنوان فارسی مقاله: تعیین اندازه بهینه سیستم ذخیره سازی انرژی با در نظر داشتن قابلیت اطمینان، در یک ریزشبکه.
• دسته: برق و الکترونیک
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 17
• جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
• نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.

خلاصه

این مقاله، مدلی برای محاسبه اندازه بهینه سیستم ذخیره سازی انرژی (ESS) در یک ریزشبکه را، با در نظر گرفتن معیار قابلیت اطمینان، ارایه می دهد. هر چه ESS (سیستم ذخیره سازی انرژی) بزرگتر باشد، نیازمند هزینه های سرمایه گذاری بیشتری بوده، درحالیکه هزینه عملکرد ریزشبکه، کاهش می یابد. مساله تعیین اندازه بهینه ESS که در اینجا ارایه می شود، هزینه سرمایه گذاری (هزینه اولیه) ESS را، و نیز هزینه عملکرد مورد انتظار شبکه را، کمینه می کند. با استفاده از ESS، کمبود توان تولیدی به سبب قطع شدن واحدهای موجود و یا جدا شدن واحدهای تجدیدپذیر، کنترل می شود؛ ازینرو، معیار قابل اطمینان بودن ریزشبکه، برآورده می شود. از یک مدل عملی ESS استفاده می شود. از یک برنامه نویسی مرکب-عدد صحیح (MIP) برای فرمول بندی مساله استفاده شده است. نمونه های گویا نشان دهندۀ بازدۀ مدل ارایه شده می باشند.

کلمات کلیدی: سیستم ذخیره سازی انرژی، برنامه ریزی توسعه، ریزشبکه.

مقدمه

با ادامه روند تکامل تکنولوژی های ذخیره سازی، کاربرد سیستم های ذخیره کننده انرژی (ESS) در شبکه های آینده، بیش از پیش توجه اپراتورهای سیستم را بخود جلب کرده است و کاربرد آنها در سیستم قدرت، در حال یافتن توجیه اقتصادی می باشد. ESS، کاربردهای گسترده ای را به شبکه قدرت ارایه می دارد، مانند بهبود کنترل، کاهش مشکلات نوسان و قطعی منابع انرژی تجدیدپذیر، تبعیت از بار، پایداری ولتاژ و فرکانس، مدیریت بار پیک، بهبود کیفیت توان، و تعویق ارتقای سیستم. اگرچه، هزینه های سرمایه گذاری بالای آن، مدل سازی دقیق و تنظیم اندازه بهینه ESS را می طلبد تا توجیه اقتصادی آن را برآورده کرده و همچنین از بهره برداری کم یا زیاد از حد آن، جلوگیری کند.

• فرمت: zip
• حجم: 1.41 مگابایت
• شماره ثبت: 411