تکنیک پخش بار بهینه جریان توان پیوندی (هیبرید)…

چکیده

در این مقاله یک مدل پخش بار بهینه (OPF) با جریان توان پیوندی مبنی بر تزریق جریان معادل (ECI) ارایه شده، و نیز الگوریتم نقطه داخلی پیشبینی کننده تصحیح کننده (PCIPA) ، به منظور بکارگیری OPF (پخش بار بهینه) برای حل مسایل برنامه نویسی غیر خطی (NLP) عنوان شده است. همچنین روش ارایه شده را می توان به دو زیر مساله، تجزیه کرد. نتایج محاسباتی باس های IEEE 9 تا 300 نشان دادند که الگوریتم ارایه شده می تواند با بهبود تعداد تکرارها، ذخیره سازی های حافظه، و زمان CPU، باعث بهبود عکلکرد شود.

اصطلاحات مربوطه: تزریق جریان معادل، برنامه نویسی غیرخطی، پخش بار بهینه، الگوریتم نقطه داخلی پیشبینی کننده تصحیح کننده

مقدمه

پخش بار بهینه برای نخستین بار در سال 1962 مورد بحث قرار گرفت [1] و مدت ها طول کشید تا به یک الگوریتم پرکاربدی که در کاربردهای روزانه بکار رود، تبدیل شود [2] و [3]. OPF را می توان نه تنها در برنامه ریزی سیستم بکاربرد، بلکه می توان آن را در عملکرد لحظه ای سیستم های قدرت، در محیط حذف نظارت دولت نیز اعمال کرد. مرجع [4]، یک معرفی کلی از تکنیک های روش تکرار لامبدا، روش گرادیان، روش نیوتون، و برنامه نویسی خطی (LP) به منظور حل مسایل OPF ارایه داده است. با انتشار Karmarkar [5] در سال 1984، الگوریتم های نقطه داخلی (IPA) زیادی برای برنامه نویسی خطی و برنامه نویسی درجه دوم (QP) ارایه شده است. در سال های اخیر، الگوریتم نقطه داخلی اولیه دوگانه، بطور گسترده به منظور حل مسایلی همچون [6]، [7]، پیشبینی حالت [8]، OPF با امنیت محدود [9]، و پخش بار راکتیو بهینه [10] بکار رفته است. نتایج عددی نشان می دهند که PCIPA توانایی زیادی برای حل مسایل عملکرد و برنامه ریزی سیستم قدرت در مقایسه با روش های مرسومی همچون روش نیوتون [11] دارد.

تکنیک بهینه سازی آزاد مشتق برای کالیبراسیون مدل صف بندی…

چکیده

یک گام مهم در مدل سازی سیستم، تعیین ارزش پارمترها برای استفاده در آن مدل می باشد. در این مقاله فرض بر این است که مجموعه ای از اندازه گیری های جمع آوری شده از سیستم های غملیاتی در دست داشته، و مدل مناسبی از سیستم (برای مثال بر مبنای این نظریه صف بندی) ایجاد شده است. برآورد مقادیر نسبی تکراری برای پارامترهای خاص این مدل از داده ها موجود، مشکل می باشد. (زیرا پارامترهای مربوطه دارای مفهوم فیزیکی نامشخص بوده و یا آن ها را نمی توان به طور مستقیم از واحدهای اندازه گیری موجود به دست آورد). از این رو نیاز به تکنیکی برای تعیین مقادیر مربوط پارامترهای از دست رفته، یعنی به منظور کالیبراسیون مدلف داریم. به عنوان جایگزینی برای تکنیک غیر قابل سنجش بروت فورس، ما مدل کالیبراسیون را به عنوان یک مسئله بهینه سازی غیرخطی با توجه به محدودیت هایی مد نظر قرار می دهیم. روش موجود از نظر مفهوم ساده بوده اجرا ان نیز آسان می باشند. مشارکت ما به صورت دوگانه می باشد. در ابتدا تعریف مناسبی از تابع هدف را برای تعیین فاصله بین شاخص های عملیاتی ایجاد شده توسط مدل و مقادیر حاصل شده از اندازه گیری ها ارائه می دهیم. در مرحله دوم، تکنیک های بهینه آزاد مشتق شده (DFO) را که ویژگی اصلی آن توانایی برای محدود کردن موقتی نقص ها می باشد، مطرح می کنیم. چنین تکنیکی این امکان را برای ما به وجود می آورد تا به طور دقیقی مشکل بهینه سازی را حل کرده، و به این ترتیب مقادیر پارامتری دقیقی را ایجاد می کند. ما روش مان را با استفاده از دو بررسی موردی واقعی ساده توضیح می دهیم.

کلیدواژه: کالیبراسیون، مدل صف بندی، بهینه سازی آزاد مشتقات، تابع هدف، بهینه سازی

مقدمه

پیش بینی عملکرد سیستم های اطلاعاتی به عنوان یک مسئله اصلی در تجزیه و تحلیل کامپیوتری می باشد. این پیش بینی ها در ارتباط با طراحی سیستم جدید و همچنین پیش بینی تاثیر عملکردی تغییرات در منابع سخت افزاری و یا تراکم کار مورد استفاده قرار می گیرد. برای نمونه پیش بینی ها می توانند تخمین بزنند که چگونه افزایش کاربرد شبکه های اترنتی بر روی متوسط تاخیرهای ایجاد شده توسط بسته های انتقالی تاثیرگذار می باشند. مورد دیگر پیش بینی تاثیر عملکرد ابزارهای ذخیره سازی جدید بر روی عملکرد سیستم های فرعی می باشد.

تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى نانو وایر سیلیکون ...…

چکیده

در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون بر عایق (SOI) ، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS NW CMOS نشان داده شده است.

مقدمه

نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنای MOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n و نوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی یعنی ساده ترین وسیله آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز مایع جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشده دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیه عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا به پایین وسایل Si NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع ترانزیستور (یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلیدزنی، تغییر یافتنی باشد.

تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم…

• عنوان لاتین مقاله: Dopant-Independent and Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications
• عنوان فارسی مقاله: تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد.
• دسته: برق و الکترونیک
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 11
• جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
• نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.

خلاصه

در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون-بر-عایق (SOI) ، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.

مقدمه

نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنایMOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n ونوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی _یعنی ساده ترین وسیلۀ آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar [2] نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز-مایع-جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت_ سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشدۀ دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیۀ عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا-به-پایین وسایل Si-NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع-ترانزیستور (یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back-gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلیدزنی، تغییر یافتنی باشد.

• فرمت: zip
• حجم: 2.08 مگابایت
• شماره ثبت: 411

تکنولوژی جدید بسته بندی برای پرسازی محصولات نسوز…

• عنوان لاتین مقاله: A New Packing Technology For Filling Refractory Products
• عنوان فارسی مقاله: تکنولوژی جدید بسته بندی برای پرسازی محصولات نسوز.
• دسته: محیط زیست
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 7
• جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
• نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.

خلاصه

به عنوان یک گروه تکنولوژیکی، هاور و بکر، از موقعیت برجسته ای در بازارهای جهانی تکنولوژی بسته بندی برخوردار است.

سیستم پرسازی HAP THE (HAVER ADAMS PROCESS) یک سیستم بسته بندی FFS (FORM FILL SEAL) مبتکرانه برای قراردادن محصولات پودری در کیسه های پلاستیکی PE می باشد. این تکنولوژی جدید برای اولین بار در صنعت نسوز با موفقیت فراوان به کار گرفته شد. مزیت عمدۀ آن عبارت است از: بسته بندی متراکم، نظافت و پاکیزگی در طی پرسازی کیسه و در تمام طول مدت انتقال کل محصول، زنجیرۀ توزیع، محافظت بهینۀ محصول، افزایش تاریخ مصرف و بهبود ظاهر بصری. تأثیر مثبت دیگر آن ایجاد مقاومت زیاد در برابر پارگی است.

مقدمه

تولید کنندگان مواد نسوز با تقاضای بازار خود مبنی بر عرضۀ کیسه های تمیز و جمع و جور و کوچک با وزن بسیار دقیق مواجه هستند. مقررات مربوط به انتشار گرد و غبار مجاز وجود پروسه های پرسازی تمیز بویژه برای کیسه های تنگ و محکم را ایجاب می کند.

امروزه، پروسه های تولید مستلزم تکنولوژی ماشین آلات انعطاف پذیر هستند تا زمان دگرگون کوتاه و حداکثر دسترسی عملی را بیمه کنند.

• فرمت: zip
• حجم: 1.51 مگابایت
• شماره ثبت: 411