دانلود انواع مقاله
(پروژه، مقاله، پایان نامه، گزارش کارآموزی، سوالات استخدامی، طرح توجیهی و...)دانلود انواع مقاله
(پروژه، مقاله، پایان نامه، گزارش کارآموزی، سوالات استخدامی، طرح توجیهی و...)مال نت های مضر تلفن همراه بدترین های هر دو جهان…
- عنوان لاتین مقاله: Mobile Evil Twin Malnets – The Worst of Both Worlds
- عنوان فارسی مقاله: مال نت های مضر تلفن همراه بدترین های هر دو جهان.
- دسته: فناوری اطلاعات و کامپیوتر - دیجیتال و فناری
- تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 8
- جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
- نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.
خلاصه
جهان محاسبات و علم تلفن همراه هم در زمینۀ استعداد پیشرفت و توانایی رفع نیازمندی های ما و هم در جهت گسترش و تکثیر دستگاه ای تلفن همراه، دستخوش تغییرات اساسی و مهمی می باشد. اگر چه تا کنون، مالورهای تلفن همراه نقش نسبتاً کوچکی را در مقایسه با عظیم بودن مالورهای روزمره بازی کرده اند، اما تغییر و تحولات محیطی (دنیای اطراف) به طور پیوسته و مداوم در حال افزایش جذابیت دستگاه های تلفن همراه به عنوان منابع قابل استفاده و عملی می باشند.
***مالور یا بدافزار:
واژه مالور کوتاه شدۀ نرم افزار مخرب (malicious software) است. این واژه اصطلاحی عمومی برای توصیف تمام ویروس ها، کرم ها، اسپای ورها (spyware) ، ادورها (adware) ، تروجان ها و... وتقریبا هر چیزی که به طور خاص برای صدمه به کامپیوتر و یا سرقت اطلاعات طراحی شده است.
استفادۀ بیش از حد از دستگاه های تلفن همراه و ارتباط بین آن ها موجبات یکسری حمله های زیان آور را فراهم نموده و آن ها (دستگاه های تلفن همراه) را در معرض خطر قرار می دهد.
در این مقاله، نقاط دستیابی حملات مضر را در حوزۀ تلفن همراه بررسی کرده و نشان می دهیم که این حملات چگونه جهت ایجاد یک مال نت تلفن همراه مورد استفاده قرار می گیرند. این مال نت ها می توانند به طور اپیدمی گسترش یابند. جهت نمایش خطرهایی که در خلال این نوع حملات ایجاد می شوند، ما به شبیه سازی بخش های اصلی پرداخته و نشان می دهیم که یک مالور یا بدافزار، چگونه و با چه سرعتی قادر است در محیط تلفن همراه پخش شود.
مال نت:
شبکه های بدافزاری (malnet1) ، مجموعه ای از دامنه ها، کارگزارها و وب گاه های طراحی شده برای ارائۀ بدافزارها می باشد و به نظر می رسد که آمادۀ هدف قراردادن بیشتر دستگاه های تلفن همراه در سال ۲۰۱۳ است. گزارش شرکت امنیتی Blue Coat Systems از بدافزارهای تلفن همراه سال ۲۰۱۳ نشان می دهد که آنچه آن ها بر روی آن نام مال نت گذاشته اند، تغییرات اساسی در روش مجرمان توزیع کنندۀ حملات ایجاد خواهدنمود.
- فرمت: zip
- حجم: 0.26 مگابایت
- شماره ثبت: 411
ماتریس کنترل P-Q مبدل مبتنی بر کنترل کننده یکپارچه پخش توان…
- عنوان لاتین مقاله: P-Q Control Matrix Converter Based UPFC By Direct Power Control Method
- عنوان فارسی مقاله: ماتریس کنترل پی- کیو مبدل مبتنی بر کنترل کننده یکپارچه پخش توان با استفاده از روش کنترل توان مستقیم.
- دسته: برق
- تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 17
- جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
- نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.
خلاصه
در سال های اخیر، با توجه به مشکلات محیطی و اقتصادی، ساخت ماشین جدید قدرت و خط انتقال مشکل شده است. از این رو بهتر است به منظور افزایش قابلیت انتقال قدرت از خطوط انتقال موجود را تا محدوده حرارتی به جای ساخت خطوط انتقال جدید استفاده کرد. برای بالا بردن توانایی قدرت، کنترل کننده FACTS مانند SSC، TCSC، SVC توسعه یافته است. اما این کنترل کننده ها به طور جداگانه نمی توانند توان واقعی و راکتیو را جبران کنند. از این رو کنترل کننده به نام، کنترل جریان توان یکپارچه (UPFC) با استفاده از دو کنترل کننده سری و شنت با یک لینک خازن DC مشترک توسعه داده شده است. این خازن معایبی مانند قابلیت اطمینان مؤثر، هزینه بالا و غیره را دارد. این مقاله یک توپولوژی جدید برای UPFC بر اساس طرحی ماتریس مبدل پیشنهاد می کند. مبدل های ماتریس (MCS) اجازه می دهد که مبدل توان ac/ac مستقیم بدون لینک های ذخیره انرژی dc بنابراین MC مبتنی برUPFC (MC-UPFC) حجم و هزینه را کاهش می دهد، کاهش تلفات توان خازن، همراه با قابلیت اطمینان بالاتر است. مبانی نظری کنترل توان مستقیم (DPC) بر اساس روش های کنترل مدل لغزشی برای مدل دینامیکیMC-UPFC از جمله فیلتر ورودی تاسیس شده اند. در نتیجه، توان اکتیو و راکتیو خط، همراه با تغذیه AC توان راکتیو، می تواند به طور مستقیم با انتخاب مبدل ماتریس مناسب کنترل شده و حالت سوئیچینگ پاسخ دینامیکی و حالت پایدار را تضمین می کند.
I. مقدمه
مفهوم UPFC اصلی، در دهه نود توسط L. Gyugyi، معرفی شد. [1] شامل دو مبدل AC-DC با استفاده از گیت خاموش کردن تریستوری (GTO) است، پشت سرهم از طریق لینک DC مشترکشان با استفاده از ولتاژ بالا ذخیره سازی DC خازن ها متصل شده اند. این ترتیبات می تواند به عنوان مبدل قدرت سوئیچینگ AC-AC برگشت پذیر ایده آل عمل کند، که در آن توان می تواند در هر دو جهت بین ترمینال های AC دو مبدل جریان داشته باشد خازن های لینک DC برخی از قابلیت ذخیره انرژی برای مبدل های پشت سر هم که به کنترل جریان توان کمک می کندرا فراهم می کنند.
- فرمت: zip
- حجم: 2.70 مگابایت
- شماره ثبت: 411
لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى…
- عنوان لاتین مقاله: LECTOR: A Technique for Leakage Reduction in CMOS Circuits
- عنوان فارسی مقاله: لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى.
- دسته: برق و الکترونیک
- تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 32
- جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
- نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.
خلاصه
در مدارات سیموس، کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ، منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما، دو ترانزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش، یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی، نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده، که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده، نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیدۀ CMOS استاتیک تبدیل شده، و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار، فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین، روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهندۀ یک کاهش نشتی متوسط 794 درصدی را برای مدارات محک (بنچ مارک) MCNC’91 نشان می دهند.
کلمات کلیدی: ریزمیکرون ژرف، نشت توان، بهینه سازی توان، پشته ترانزیستور
مقدمه
تلف توان موضوع مهمی در طراحی مدارات CMOS VLSI می باشد. مصرف توان زیاد، موجب کاهش عمر باطری در کاربردهای دارای باطری می شود و در قابلیت اطمینان، بسته ای سازی، و هزینه های خنک سازی تاثیر می گذارد. منابع اصلی تلفات توان این ها هستند: 1) تلفات توان خازنی مبنی بر شارژ و تخلیۀ (دشارژ) خازن بار. 2) جریان های اتصال کوتاه، بدلیل وجود یک مسیر رسانا میان منبع ولتاژ و گراند برای مدت کوتاهی در حین اینکه یک دروازه منطقی در حال عبور جریان از خود است؛ و 3) جریان نشتی. جریان نشتی شامل جریان های دیود بایاس معکوس و جریان های زیرآستانه می باشد.
- فرمت: zip
- حجم: 2.15 مگابایت
- شماره ثبت: 411
لایه مس فرآورى شده از راه قالب گیرى برقى با ساختار نانو…
- عنوان لاتین مقاله: Fabrication of Nanostructured Electroforming Copper Layer by Means of an Ultrasonic-assisted Mechanical Treatment
- عنوان فارسی مقاله: ساخت لایه مسی نانوساختار فرآورى شده از راه قالب گیرى برقى به وسیله عملیات مکانیکی مبتنی بر امواج مافوق صوت
- دسته: متالوژی مواد - مهندسی مواد
- تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 7
- لینک دریافت رایگان نسخه انگلیسی مقاله: دانلود
- نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.
خلاصه
طبق نیاز به مواد با عملکرد بالا در دانش هوانوردی، لایه مس فرآورى شده از راه قالب گیرى برقى با ساختار نانو با استفاده از عملیات مکانیکی متعاقب آن، تحت شرایط لرزش مافوق صوت، به دست آمده است. ریزساختار لایه مس فرآورى شده از راه قالب گیرى برقى به وسیله میکروسکوپ نوری (OM) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) دیده شده است. استحکام کششی به وسیله آزمون گر کششی ارزیابی شده است. مشخص شد که بلور حجمی لایه سطحی مس فرآورى شده از راه قالب گیرى برقى، پس از عملیات مکانیکی مبتنی بر امواج مافوق صوت (UMT) ، به نانو بلور (با ابعاد حدود 10نانو متر) تغییر یافته است، ولی کل ساختار تک بلوری هم چنان باقی می ماند. استحکام کششی ای که لایۀ مس جدید از خود نشان می دهد دو برابر بهتر از لایۀ مسی شکل دهی الکتریکی داده شدۀ معمولی است، در حالی که کرنش شکست ثابت باقی مانده است. علاوه بر آن ثابت شده است که ساز و کار استحکام دهی فرآیند UMT، ساز و کار استحکام دهی نابجایی است.
کلمات کلیدی: لایۀ مس فرآورى شده از راه قالب گیرى برقى، نانو ساختار، عملیات مکانیکی مبتنی بر امواج مافوق صوت، استحکام کششی
مقدمه
شکل دهی الکتریکی به عنوان یک تکنیک فرآیندی مخصوص، به علت هزینۀ پایین و دقت کپی کردن بالا برای ساخت اجزای فلزی استفاده شده است. به علاوه، محصول نهایی می تواند مستقیما با شکل دهی الکتریکی بدون فرآیندهای دیگری بدست آید. شکل دهی الکتریکی یک فناوری دقیق است و می تواند تقاضاهای صنعت را برای اجزای فلزی بسیار ریز، پیچیده و دقیق ارضا کند. بنابراین به صورت گسترده ای در بسیاری از صنایع مانند خودروسازی، الکترون، مواد، هوانوردی و هوافضا، استفاده شده است. در سال های اخیر، آماده سازی مواد با عملکرد بالا به وسیلۀ شکل دهی الکتریکی به تدریج به موضوع داغی تبدیل شده است [3-1].
- فرمت: zip
- حجم: 0.51 مگابایت
- شماره ثبت: 411
گوشی های مبتنی بر شتاب سنج برای نظارت و تعیین کمیت فعالیت جسمانی…
- عنوان لاتین مقاله: An accelerometer-based earpiece to monitor and quantify physical activity
- عنوان فارسی مقاله: گوشی های مبتنی بر شتاب سنج برای نظارت و تعیین کمیت فعالیت جسمانی.
- دسته: تربیت بدنی
- تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 11
- جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
- نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.
خلاصه
فعالیت فیزیکی در بیماری و سلامتی حائز اهمیت است. دستگاه های ارزان قیمت، دقیق و سریع می تواند در ارزیابی فعالیت های روزانه کمک کند. ما فناوری جدید سنجش فعالیت ها را به یک گوشی با استفاده از قابل حمل موزیک پلیرها و دستگاه های تلفن قابل حمل (تو گوشی سنجش فعالیت فیزیکی PASE) بررسی کردیم. در این مقاله بررسی میکنیم که آیا PASE میتواند فعالیت های قیزیکی را به دقت و سرعت شناسایی کند و شدت آن و مصرف انرژی را بسنجد یا نه.
روش ها: آزمایش 1: 18 نفر PASE را با حالت های مختلف بدن و در طول راه رفتن مدرج استفاده کردند. مصرف انرژی با استفاده از کالریمتری غیر مستقیم اندازه گیری شد. آزمایش 2: هشت نفر از تو گوشی استفاده کردند و مسیری شناخته شده را پیمودند. آزمایش 3: هشت نفر از تو گوشی استفاده کردند و در سرعت 3.5 mph پیاده روی کردند.
نتایج: این درون گوشی به درستی ایستادن و راه رفتن و نشستن را از پیاده روی (76/ 76 نفر) تشخیص داد. خروجی PASE افزایش پی در پی در سرعت راه رفتن و با افزایش مصرف انرژی (R2 > 0.9) نشان داد. پیش بینی PASE از سرعت پیاده روی بی مکث 2.5 ± (SD) مایل در ساعت 0.18 و، CF سرعت واقعی، 0.16 ± 2.5 مایل در ساعت بود. این درون گوشی ها با موفقیت پیاده روی را در 3.5 مایل در ساعت از ' دویدن ' با همان سرعت را تشخیص دادند. (p <0.001)
نتیجه گیری: این افراد به خوبی با درون گوشی کنار آمدند و با آن راحت بودند. بنابراین PASE می تواند برای بیان درست فعالیت بدنی بدون مکث و مصرف انرژی مورد استفاده قرار گیرد.
کلمات کلیدی: تجهیزات سیار، فعالیت غیر ورزشی، گرمازایی، هزینه انرژی، کم کردن وزن
مقدمه
تاثیر چاقی در سلامت جهانی است بسیار شدید است. به طور کلی توافق شده که سطوح پایین فعالیت بدنی - به خصوص نشستن (به عنوان مثال کم تحرکی) در پاتوژنز چاقی مهم است. بنابراین، ابداع ابزار موثر برای اندازه گیری فعالیت بدنی می تواند در مبارزه با کم تحرکی مفید باشد.
- فرمت: zip
- حجم: 0.47 مگابایت
- شماره ثبت: 411